Sottostrat
-
Wejfer tas-SiC ta' 200mm grad finta ta' 4H-N ta' 8 pulzieri
-
Materjal trasparenti monokristall boule taż-żaffir 99.999% Al2O3
-
Wejfer tas-silikon b'film irqiq SiO2 b'ossidu termali ta' 4 pulzieri 6 pulzieri 8 pulzieri 12 pulzieri
-
Żerriegħa tas-SiC 4H-N Dia205mm miċ-Ċina Monokristalina ta' grad P u D
-
Wejfer SOI bi tliet saffi ta' sottostrat tas-silikon fuq iżolatur għall-mikroelettronika u l-frekwenza tar-radju
-
Produzzjoni ta' sottostrat SiC ta' Dia150mm 4H-N 6 pulzieri u grad finta
-
Wejfer taż-żaffir ta' 3 pulzieri Dia76.2mm ħxuna ta' 0.5mm pjan C SSP
-
Iżolatur tal-wejfer SOI fuq wejfers tas-silikon SOI (Silicon-On-Insulator) ta' 8 pulzieri u 6 pulzieri
-
Wejfer SiC Epi ta' 4 pulzieri għal MOS jew SBD
-
Ingott SiC ta' 2 pulzieri Dia50.8mmx10mmt monokristall 4H-N
-
Wejfer SiC Epitaxiy ta' 6 pulzieri tat-tip N/P jaċċetta personalizzat
-
Wejfer tad-dijossidu tas-silikon Wejfer SiO2 ħoxnin illustrat, Grad Prim u tat-Test