Sostrat tas-silikonju fuq iżolatur wejfer SOI tliet saffi għall-Mikroelettronika u l-Frekwenza tar-Radju

Deskrizzjoni qasira:

Isem sħiħ SOI Silicon On Insulator, huwa t-tifsira ta 'struttura ta' transistor tas-silikon fuq l-iżolatur, il-prinċipju huwa bejn it-transistor tas-silikon, żid materjal iżolatur, jista 'jagħmel il-kapaċità parassitika bejn it-tnejn mill-oriġinal inqas mid-doppju.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Introduċi l-kaxxa tal-wejfer

Nintroduċu l-wejfer avvanzat tagħna tas-Silicon-On-Insulator (SOI), imfassal b'mod metikoluż bi tliet saffi distinti, li jirrevoluzzjona l-applikazzjonijiet tal-mikroelettronika u l-frekwenza tar-radju (RF).Dan is-sottostrat innovattiv jgħaqqad saff ta 'fuq tas-silikon, saff ta' ossidu iżolanti, u sottostrat tas-silikon tal-qiegħ biex jagħti prestazzjoni u versatilità mingħajr paragun.

Iddisinjat għat-talbiet tal-mikroelettronika moderna, il-wejfer SOI tagħna jipprovdi pedament sod għall-fabbrikazzjoni ta 'ċirkwiti integrati (ICs) kkomplikati b'veloċità superjuri, effiċjenza tal-enerġija u affidabilità.Is-saff ta 'fuq tas-silikon jippermetti l-integrazzjoni bla xkiel ta' komponenti elettroniċi kumplessi, filwaqt li s-saff ta 'ossidu iżolanti jimminimizza l-kapaċità parassitika, u jtejjeb il-prestazzjoni ġenerali tal-apparat.

Fil-qasam tal-applikazzjonijiet RF, il-wejfer SOI tagħna jeċċella bil-kapaċità parassitika baxxa tiegħu, vultaġġ għoli ta 'tqassim, u proprjetajiet ta' iżolament eċċellenti.Ideali għal swiċċijiet RF, amplifikaturi, filtri, u komponenti RF oħra, dan is-sottostrat jiżgura l-aħjar prestazzjoni f'sistemi ta 'komunikazzjoni mingħajr fili, sistemi tar-radar, u aktar.

Barra minn hekk, it-tolleranza inerenti għar-radjazzjoni tal-wejfer SOI tagħna tagħmilha ideali għal applikazzjonijiet aerospazjali u ta 'difiża, fejn l-affidabbiltà f'ambjenti ħarxa hija kritika.Il-kostruzzjoni robusta tagħha u l-karatteristiċi ta 'prestazzjoni eċċezzjonali jiggarantixxu tħaddim konsistenti anke f'kundizzjonijiet estremi.

Karatteristiċi ewlenin:

Arkitettura bi Tliet Saffi: Saff ta 'fuq tas-silikon, saff ta' ossidu iżolanti, u sottostrat tas-silikon tal-qiegħ.

Prestazzjoni Superjuri tal-Mikroelettronika: Jippermetti l-fabbrikazzjoni ta 'ICs avvanzati b'veloċità mtejba u effiċjenza tal-enerġija.

Prestazzjoni Eċċellenti RF: Kapaċitanza parassitika baxxa, vultaġġ għoli ta 'tqassim, u proprjetajiet ta' iżolament superjuri għal apparati RF.

Affidabilità tal-Grad Aerospazjali: It-tolleranza tar-radjazzjoni inerenti tiżgura l-affidabbiltà f'ambjenti ħarxa.

Applikazzjonijiet versatili: Adattat għal firxa wiesgħa ta 'industriji, inklużi telekomunikazzjonijiet, aerospazjali, difiża, u aktar.

Esperjenza tal-ġenerazzjoni li jmiss ta 'mikroelettronika u teknoloġija RF bil-wejfer avvanzat tagħna tas-Silicon-On-Insulator (SOI).Nisfruttaw possibbiltajiet ġodda għall-innovazzjoni u tmexxi l-progress fl-applikazzjonijiet tiegħek bis-soluzzjoni ta 'sottostrat avvanzata tagħna.