Wejfer tad-Diossidu tas-Silikon SiO2 wejfer oħxon Illustrat, Prim U Grad tat-Test

Wejfer tad-Diossidu tas-Silikon SiO2 wejfer ħoxna Illustrat, Prim U Grad tat-Test Image Dehru

Deskrizzjoni qasira:

L-ossidazzjoni termali hija r-riżultat li tesponi wejfer tas-silikon għal taħlita ta 'aġenti ossidanti u sħana biex tagħmel saff ta' dijossidu tas-silikon (SiO2) .Il-kumpanija tagħna tista 'tippersonalizza qxur tal-ossidu tad-dijossidu tas-silikon b'parametri differenti għall-klijenti, bi kwalità eċċellenti;il-ħxuna tas-saff tal-ossidu, il-kumpattezza, l-uniformità u l-orjentazzjoni tal-kristall tar-reżistenza huma kollha implimentati skont l-istandards nazzjonali.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Introduċi l-kaxxa tal-wejfer

Prodott	Wejfers ta' Ossidu Termali (Si+SiO2).
Metodu ta' Produzzjoni	LPCVD
Illustrar tal-wiċċ	SSP/DSP
Dijametru	2inch / 3inch / 4inch / 5inch / 6inch
Tip	Tip P / tip N
Ħxuna tas-Saff ta' Ossidazzjoni	100nm ~ 1000nm
Orjentazzjoni	<100> <111>
Reżistività elettrika	0.001-25000(Ω•cm)
Applikazzjoni	Użat għal trasportatur tal-kampjuni tar-radjazzjoni synchrotron, kisi PVD/CVD bħala sottostrat, kampjun tat-tkabbir tal-magnetron sputtering, XRD, SEM,Forza atomika, spettroskopija infra-aħmar, spettroskopija tal-fluworexxenza u sottostrati oħra tat-test tal-analiżi, sottostrati tat-tkabbir epitassjali tar-raġġ molekulari, analiżi tar-raġġi X ta 'semikondutturi kristallini

Il-wejfers tal-ossidu tas-silikon huma films tad-dijossidu tas-silikon imkabbra fuq il-wiċċ tal-wejfers tas-silikon permezz ta 'ossiġnu jew fwar tal-ilma f'temperaturi għoljin (800°C ~ 1150°C) bl-użu ta' proċess ta 'ossidazzjoni termali b'tagħmir ta' tubu tal-forn tal-pressjoni atmosferika.Il-ħxuna tal-proċess tvarja minn 50 nanometru sa 2 mikroni, it-temperatura tal-proċess hija sa 1100 grad Celsius, il-metodu ta 'tkabbir huwa maqsum f' "ossiġnu imxarrab" u "ossiġnu niexef" żewġ tipi.L-Ossidu Termali huwa saff ta 'ossidu "imkabbar", li għandu uniformità ogħla, densifikazzjoni aħjar u saħħa dielettrika ogħla minn saffi ta' ossidu depożitati CVD, li jirriżultaw fi kwalità superjuri.

Ossidazzjoni tal-Ossiġenu Nixxef

Is-silikon jirreaġixxi ma 'l-ossiġnu u s-saff ta' l-ossidu qed jimxi kontinwament lejn is-saff tas-sottostrat.L-ossidazzjoni niexfa jeħtieġ li titwettaq f'temperaturi minn 850 sa 1200 ° C, b'rati ta 'tkabbir aktar baxxi, u tista' tintuża għat-tkabbir tal-bieb iżolat MOS.L-ossidazzjoni niexfa hija ppreferuta fuq l-ossidazzjoni mxarrba meta jkun meħtieġ saff ta 'ossidu tas-silikon ultra-rqiq ta' kwalità għolja.Kapaċità ta 'ossidazzjoni niexfa: 15nm ~ 300nm.

2. Ossidazzjoni Mxarrba

Dan il-metodu juża fwar ta 'l-ilma biex jifforma saff ta' ossidu billi jidħol fit-tubu tal-forn taħt kondizzjonijiet ta 'temperatura għolja.Id-densifikazzjoni tal-ossiġnu tal-ossiġnu mxarrab hija kemxejn agħar mill-ossidazzjoni tal-ossiġnu niexef, iżda meta mqabbla mal-ossidazzjoni tal-ossiġnu niexef il-vantaġġ tagħha huwa li għandha rata ta 'tkabbir ogħla, adattata għal aktar minn tkabbir tal-film ta' 500nm.Kapaċità ta 'ossidazzjoni mxarrba: 500nm ~ 2µm.

It-tubu tal-forn ta 'ossidazzjoni tal-pressjoni atmosferika ta' AEMD huwa tubu tal-forn orizzontali Ċek, li huwa kkaratterizzat minn stabbiltà għolja tal-proċess, uniformità tajba tal-film u kontroll tal-partiċelli superjuri.It-tubu tal-forn tal-ossidu tas-silikon jista 'jipproċessa sa 50 wejfer għal kull tubu, b'uniformità eċċellenti intra-u inter-wejfers.