Fis-26, Power Cube Semi ħabbar l-iżvilupp b'suċċess tal-ewwel semikonduttur MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) tal-Korea t'Isfel.
Meta mqabbel ma 'semikondutturi bbażati fuq Si (Silicon) eżistenti, SiC (Silicon Carbide) jista' jiflaħ vultaġġi ogħla, u għalhekk jiġi faħħar bħala l-apparat tal-ġenerazzjoni li jmiss li jwassal il-futur tas-semikondutturi tal-enerġija.Huwa jservi bħala komponent kruċjali meħtieġ għall-introduzzjoni ta 'teknoloġiji avvanzati, bħall-proliferazzjoni ta' vetturi elettriċi u l-espansjoni ta 'ċentri tad-dejta mmexxija minn intelliġenza artifiċjali.
Power Cube Semi hija kumpanija bla fabless li tiżviluppa tagħmir semikonduttur tal-enerġija fi tliet kategoriji ewlenin: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), u Ga2O3 (Gallium Oxide).Riċentement, il-kumpanija applikat u biegħet Schottky Barrier Diodes (SBDs) ta 'kapaċità għolja lil kumpanija globali ta' vetturi elettriċi fiċ-Ċina, u kisbet rikonoxximent għad-disinn u t-teknoloġija tas-semikondutturi tagħha.
Ir-rilaxx tal-2300V SiC MOSFET huwa notevoli bħala l-ewwel każ ta 'żvilupp bħal dan fil-Korea t'Isfel.Infineon, kumpanija globali tas-semikondutturi tal-enerġija bbażata fil-Ġermanja, ħabbret ukoll it-tnedija tal-prodott 2000V tagħha f'Marzu, iżda mingħajr linja ta 'prodotti 2300V.
Il-MOSFET CoolSiC 2000V ta 'Infineon, li juża l-pakkett TO-247PLUS-4-HCC, jissodisfa d-domanda għal densità ta' qawwa akbar fost id-disinjaturi, u jiżgura l-affidabbiltà tas-sistema anke taħt kundizzjonijiet stretti ta 'vultaġġ għoli u frekwenza tal-bidla.
Il-CoolSiC MOSFET joffri vultaġġ ogħla ta 'link ta' kurrent dirett, li jippermetti żieda fil-qawwa mingħajr ma jiżdied il-kurrent.Huwa l-ewwel apparat diskret tal-karbur tas-silikon fis-suq b'vultaġġ ta 'tqassim ta' 2000V, li juża l-pakkett TO-247PLUS-4-HCC b'distanza creepage ta '14mm u spazju ta' 5.4mm.Dawn l-apparati għandhom telf ta 'swiċċjar baxx u huma adattati għal applikazzjonijiet bħal inverters ta' string solari, sistemi ta 'ħażna ta' enerġija, u ċċarġjar ta 'vetturi elettriċi.
Is-serje ta 'prodotti CoolSiC MOSFET 2000V hija adattata għal sistemi ta' bus DC b'vultaġġ għoli sa 1500V DC.Meta mqabbel mal-MOSFET 1700V SiC, dan l-apparat jipprovdi biżżejjed marġni ta 'vultaġġ żejjed għal sistemi ta' 1500V DC.Il-CoolSiC MOSFET joffri vultaġġ ta 'limitu ta' 4.5V u jiġi mgħammar b'dijodi tal-ġisem robusti għal kommutazzjoni iebsa.Bit-teknoloġija ta 'konnessjoni .XT, dawn il-komponenti joffru prestazzjoni termali eċċellenti u reżistenza qawwija għall-umdità.
Minbarra l-2000V CoolSiC MOSFET, Infineon dalwaqt se tniedi diodes CoolSiC komplementari ppakkjati f'pakketti TO-247PLUS 4-pin u TO-247-2 fit-tielet kwart tal-2024 u l-aħħar kwart tal-2024, rispettivament.Dawn id-dijodi huma partikolarment adattati għal applikazzjonijiet solari.Kombinazzjonijiet ta 'prodotti tas-sewwieq tal-bieb li jaqblu huma wkoll disponibbli.
Is-serje ta 'prodotti CoolSiC MOSFET 2000V issa hija disponibbli fis-suq.Barra minn hekk, Infineon joffri bordijiet ta 'valutazzjoni xierqa: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.L-iżviluppaturi jistgħu jużaw dan il-bord bħala pjattaforma tat-test ġenerali preċiża biex jevalwaw il-MOSFETs u d-dijodi CoolSiC kollha stmati f'2000V, kif ukoll is-serje ta 'prodotti 1ED31xx ta' gate ta 'iżolament ta' kanal wieħed kompatt EiceDRIVER permezz ta 'tħaddim PWM b'polz doppju jew kontinwu.
Gung Shin-soo, Uffiċjal Kap tat-Teknoloġija ta 'Power Cube Semi, iddikjara, "Konna kapaċi jestendu l-esperjenza eżistenti tagħna fl-iżvilupp u l-produzzjoni tal-massa ta' 1700V SiC MOSFETs għal 2300V.
Ħin tal-post: Apr-08-2024