3inch Dia76.2mm SiC substrati HPSI Prime Research u Dummy grade

3inch Dia76.2mm SiC substrati HPSI Prime Research u Dummy Grad Dehru Image

Deskrizzjoni qasira:

Is-sottostrat semi-insulanti jirreferi għar-reżistività ogħla minn sottostrat tal-karbur tas-silikon ta '100000Ω-cm, prinċipalment użat fil-manifattura ta' apparati ta 'frekwenza tar-radju microwave nitrur tal-gallju, huwa l-bażi tal-qasam tal-komunikazzjoni mingħajr fili.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Is-sottostrati tal-karbur tas-silikon jistgħu jinqasmu f'żewġ kategoriji

Substrat konduttiv: jirreferi għar-reżistività ta 'substrat tal-karbur tas-silikon ta' 15 ~ 30mΩ-cm.Il-wejfer epitassjali tal-karbur tas-silikon imkabbar mis-sottostrat tal-karbur tas-silikon konduttiv jista 'jsir aktar f'apparati tal-enerġija, li jintużaw ħafna f'vetturi tal-enerġija ġodda, fotovoltajċi, grids intelliġenti u trasport bil-ferrovija.

Huwa komponent bażiku fil-qasam tal-komunikazzjoni mingħajr fili.

Substrati konduttivi u semi-insulanti tal-karbur tas-silikon jintużaw f'firxa wiesgħa ta' apparati elettroniċi u apparati tal-enerġija, inklużi iżda mhux limitati għal dan li ġej:

Apparati ta 'semikondutturi ta' qawwa għolja (konduttivi): Is-sottostrati tal-karbur tas-silikon għandhom qawwa għolja ta 'kamp ta' tqassim u konduttività termali, u huma adattati għall-produzzjoni ta 'transistors u dajowds ta' qawwa għolja u apparat ieħor.

Apparat elettroniku RF (semi-iżolat): Substrati tal-karbur tas-silikon għandhom veloċità għolja ta 'swiċċjar u tolleranza ta' enerġija, adattati għal applikazzjonijiet bħal amplifikaturi tal-qawwa RF, apparati microwave u swiċċijiet ta 'frekwenza għolja.

Apparati optoelettroniċi (semi iżolati): Is-sottostrati tal-karbur tas-silikon għandhom vojt ta 'enerġija wiesgħa u stabbiltà termali għolja, adattati biex isiru fotodijodi, ċelloli solari u dajowds tal-lejżer u apparat ieħor.

Sensuri tat-temperatura (konduttivi): sottostrati tal-karbur tas-silikon għandhom konduttività termali għolja u stabbiltà termali, adattati għall-produzzjoni ta 'sensors ta' temperatura għolja u strumenti ta 'kejl tat-temperatura.

Il-proċess ta 'produzzjoni u l-applikazzjoni ta' sottostrati konduttivi u semi-insulanti tal-karbur tas-silikon għandhom firxa wiesgħa ta 'oqsma u potenzjali, li jipprovdu possibbiltajiet ġodda għall-iżvilupp ta' apparat elettroniku u apparat tal-enerġija.