2 pulzieri 50.8mm Żaffir Wafer C-Plane M-pjan R-pjan A-pjan Ħxuna 350um 430um 500um

2 pulzieri 50.8mm Żaffir Wejfer C-Plane M-plane R-pjan A-pjan Ħxuna 350um 430um 500um Dehru Immaġni

Deskrizzjoni qasira:

Żaffir huwa materjal ta 'kombinazzjoni unika ta' proprjetajiet fiżiċi, kimiċi u ottiċi, li jagħmluha reżistenti għal temperatura għolja, xokk termali, erożjoni tal-ilma u ramel, u grif.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Speċifikazzjoni ta 'orjentazzjonijiet differenti

Orjentazzjoni	C(0001)-Assi		R(1-102)-Assi		M(10-10) -Assi	A(11-20)-Assi
Proprjetà fiżika	L-assi C għandu dawl tal-kristall, u l-assi l-oħra għandhom dawl negattiv.Il-pjan Ċ huwa ċatt, preferibbilment maqtugħ.		R-pjan ftit aktar diffiċli minn A.		Il-pjan M huwa msaħħaħ bis-snien, mhux faċli biex tinqata ', faċli biex tinqata'.	L-ebusija tal-pjan A hija ogħla b'mod sinifikanti minn dik tal-pjan C, li hija manifestata f'reżistenza għall-ilbies, reżistenza għall-grif u ebusija għolja;Side A-plane huwa pjan taż-żigżag, li huwa faċli biex tinqata ';
Applikazzjonijiet	Substrati taż-żaffir orjentati lejn C jintużaw biex jikbru films depożitati III-V u II-VI, bħal nitrur tal-gallju, li jistgħu jipproduċu prodotti LED blu, dajowds tal-lejżer, u applikazzjonijiet ta 'detector infra-aħmar. Dan huwa prinċipalment minħabba li l-proċess tat-tkabbir tal-kristall taż-żaffir tul l-assi C huwa matur, l-ispiża hija relattivament baxxa, il-proprjetajiet fiżiċi u kimiċi huma stabbli, u t-teknoloġija tal-epitassija fuq il-pjan C hija matura u stabbli.		Tkabbir ta 'sottostrat orjentat lejn R ta' extrasystals differenti tas-silikon depożitati, użati f'ċirkwiti integrati mikroelettronika. Barra minn hekk, ċirkwiti integrati ta 'veloċità għolja u sensuri tal-pressjoni jistgħu wkoll jiġu ffurmati fil-proċess tal-produzzjoni tal-film tat-tkabbir tas-silikon epitassjali.Substrat tat-tip R jista 'jintuża wkoll fil-produzzjoni taċ-ċomb, komponenti superkonduttivi oħra, resistors ta' reżistenza għolja, arsenide tal-gallju.		Jintuża prinċipalment biex jikber films epitassjali GaN mhux polari/semi-polari biex ittejjeb l-effiċjenza luminuża.	A-orjentat lejn is-sottostrat jipproduċi permessività/medju uniformi, u grad għoli ta 'insulazzjoni jintuża fit-teknoloġija tal-mikroelettronika ibrida.Superkondutturi ta 'temperatura għolja jistgħu jiġu prodotti minn kristalli tawwalija ta' bażi A.
Kapaċità tal-ipproċessar	Pattern Sapphire Substrat (PSS): Fil-forma ta 'Tkabbir jew Inċiżjoni, mudelli ta' mikrostruttura regolari speċifiċi tan-nanoskala huma ddisinjati u magħmula fuq is-sottostrat taż-żaffir biex jikkontrollaw il-forma tal-ħruġ tad-dawl tal-LED, u jnaqqsu d-difetti differenzjali fost GaN li qed jikbru fuq is-sottostrat taż-żaffir , ittejjeb il-kwalità tal-epitassija, u ttejjeb l-effiċjenza quantum interna tal-LED u żżid l-effiċjenza tal-estrazzjoni tad-dawl. Barra minn hekk, priżma taż-żaffir, mera, lenti, toqba, kon u partijiet strutturali oħra jistgħu jiġu personalizzati skont il-ħtiġijiet tal-klijent.
Dikjarazzjoni ta' proprjetà	Densità	Ebusija	punt tat-tidwib	Indiċi rifrattiv (viżibbli u infra-aħmar)	Trasmittanza (DSP)	Kostanti dielettriċi
Dikjarazzjoni ta' proprjetà	3.98g/ċm3	9 (mohs)	2053℃	1.762 ~ 1.770	≥85%	11.58 @ 300K fuq l-assi C (9.4 fuq l-assi A)

Dijagramma Dettaljata

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Preċedenti: 8 pulzieri Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wejfer

Li jmiss: 2 pulzieri 50.8mm Ħxuna 0.1mm 0.2mm 0.43mm Żaffir Wejfer Ċ-Pjan M-pjan R-pjan A-pjan

Ikteb il-messaġġ tiegħek hawn u ibgħatilna

Kategoriji ta' prodotti