100mm 4inch GaN fuq Sapphire Epi-saff wejfer tal-gallju nitrur epitassjali wejfer
Il-proċess ta ' tkabbir ta ' l-istruttura ta ' l-istruttura tal-kwantum LED blu GaN.Il-fluss tal-proċess dettaljat huwa kif ġej
(1) Ħami f'temperatura għolja, is-sottostrat taż-żaffir l-ewwel jissaħħan għal 1050 ℃ f'atmosfera ta 'idroġenu, l-iskop huwa li jitnaddaf il-wiċċ tas-sottostrat;
(2) Meta t-temperatura tas-sottostrat tinżel għal 510℃, saff buffer GaN/AlN b'temperatura baxxa bi ħxuna ta '30nm jiġi depożitat fuq il-wiċċ tas-sottostrat taż-żaffir;
(3) Żieda fit-temperatura għal 10 ℃, l-ammonja tal-gass ta 'reazzjoni, trimethylgallium u silane huma injettati, jikkontrollaw rispettivament ir-rata tal-fluss korrispondenti, u titkabbar il-GaN tat-tip N drogat bis-silikon ta' ħxuna 4um;
(4) Il-gass ta 'reazzjoni ta' aluminju trimetil u gallju trimetil intuża biex jipprepara kontinenti tat-tip A⒑ N drogati bis-silikon bi ħxuna ta '0.15um;
(5) InGaN doped Zn 50nm ġie ppreparat billi injetta trimethylgallium, trimethylindium, diethylzinc u ammonja f'temperatura ta '8O0℃ u tikkontrolla rati ta' fluss differenti rispettivament;
(6) It-temperatura żdiedet għal 1020℃, trimethylaluminum, trimethylgallium u bis (cyclopentadienyl) manjesju ġew injettati biex jippreparaw 0.15um Mg drogat P-tip AlGaN u 0.5um Mg drogat P-tip G glukożju fid-demm;
(7) Film GaN Sibuyan tat-tip P ta 'kwalità għolja nkiseb permezz ta' ittemprar f'atmosfera ta 'nitroġenu f'700 ℃;
(8) Inċiżjoni fuq il-wiċċ ta 'stasis G tat-tip P biex tikxef il-wiċċ ta' stasis G tat-tip N;
(9) Evaporazzjoni ta 'pjanċi ta' kuntatt Ni/Au fuq wiċċ p-GaNI, evaporazzjoni ta 'pjanċi ta' kuntatt △/Al fuq wiċċ ll-GaN biex jiffurmaw elettrodi.
Speċifikazzjonijiet
| Oġġett | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Dimensjonijiet | e 100 mm ± 0.1 mm | |
| Ħxuna | 4.5±0.5 um Jista 'jiġi personalizzat | |
| Orjentazzjoni | Ċ-pjan (0001) ± 0.5° | |
| Tip ta' Konduzzjoni | tat-tip N (Mhux addattat) | Tip N (Si-doped) |
| Reżistenza (300K) | < 0.5 Q・ċm | < 0.05 Q・ċm |
| Konċentrazzjoni tat-Trasportatur | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 |
| Mobilità | ~ 300 ċm2/Vs | ~ 200 ċm2/Vs |
| Densità ta' Dislokazzjoni | Inqas minn 5x108cm-2(ikkalkulat minn FWHMs ta' XRD) | |
| Struttura tas-sottostrat | GaN fuq Sapphire (Standard: Għażla SSP: DSP) | |
| Erja tal-wiċċ li tista' tintuża | > 90% | |
| Pakkett | Ippakkjat f'ambjent ta 'kamra nadifa ta' klassi 100, f'cassettes ta '25pcs jew kontenituri wafer wieħed, taħt atmosfera ta' nitroġenu. | |
Dijagramma Dettaljata
