Sottostrat
-
Wejfer taż-żaffir ta' 3 pulzieri Dia76.2mm ħxuna ta' 0.5mm pjan C SSP
-
Sottostrat ta' rkupru finta ta' wejfer tas-silikon ta' 8 pulzieri tat-tip P/N (100) 1-100Ω
-
Wejfer SiC Epi ta' 4 pulzieri għal MOS jew SBD
-
Pjan C-Plane SSP/DSP ta' 12-il pulzier b'Wafer tas-Sapphire
-
Wejfer tas-silikon ta' 2 pulzieri 50.8mm FZ tat-Tip N SSP
-
Ingott SiC ta' 2 pulzieri Dia50.8mmx10mmt monokristall 4H-N
-
200kg C-plane Sapphire boule 99.999% 99.999% metodu KY monokristallin
-
4 pulzieri wejfer tas-silikon FZ CZ tat-Tip N DSP jew SSP grad tat-test
-
Wejfers tas-SiC ta' 4 pulzieri 6H Sottostrati tas-SiC semi-iżolanti ta' grad ewlieni, ta' riċerka, u ta' grad finta
-
Wejfer tas-sottostrat HPSI SiC ta' 6 pulzieri Karbur tas-Silikon Wejfers SiC semi-insulenti
-
Wejfers SiC semi-insulenti ta' 4 pulzieri Sottostrat HPSI SiC ta' grad ta' Produzzjoni Primarja
-
Wejfer tas-sottostrat 4H-Semi SiC ta' 3 pulzieri 76.2mm, Wejfers tas-SiC semi-insulenti tal-Karbur tas-Silikon