Sottostrat
-
Sottostrat tas-SiC grad P u D Dia50mm 4H-N 2 pulzieri
-
Sottostrati tal-ħġieġ TGV 12-il pulzier wejfer titqib tal-ħġieġ
-
Ingott SiC tat-tip 4H-N grad finta 2 pulzieri 3 pulzieri 4 pulzieri 6 pulzieri ħxuna: >10mm
-
Żerriegħa tas-SiC 4H-N Dia205mm miċ-Ċina Monokristalina ta' grad P u D
-
Wejfer SiC Epitaxiy ta' 6 pulzieri tat-tip N/P jaċċetta personalizzat
-
Produzzjoni ta' sottostrat SiC ta' Dia150mm 4H-N 6 pulzieri u grad finta
-
Wejfer tad-dijossidu tas-silikon Wejfer SiO2 ħoxnin illustrat, Grad Prim u tat-Test
-
Wejfer taż-żaffir ta' 3 pulzieri Dia76.2mm ħxuna ta' 0.5mm pjan C SSP
-
Wejfer SiC Epi ta' 4 pulzieri għal MOS jew SBD
-
Wejfer tas-silikon FZ CZ Si fl-istokk Wejfer tas-silikon ta' 12-il pulzier Prim jew Test
-
Ingott SiC ta' 2 pulzieri Dia50.8mmx10mmt monokristall 4H-N
-
Sottostrat ta' rkupru finta ta' wejfer tas-silikon ta' 8 pulzieri tat-tip P/N (100) 1-100Ω