Sottostrat
-
Sottostrat SiC SiC Epi-wafer konduttiv/semi tip 4 6 8 pulzieri
-
Wejfer Epitassjali SiC għal Apparati tal-Enerġija – 4H-SiC, tip N, Densità Baxxa ta' Difetti
-
4H-N Tip SiC Wejfer Epitassjali ta' Vultaġġ Għoli Frekwenza Għolja
-
Wejfer LNOI ta' 8 pulzieri (LiNbO3 fuq Iżolatur) għal Modulaturi Ottiċi, Gwidi tal-Mewġ, Ċirkwiti Integrati
-
Wejfer LNOI (Niobat tal-Litju fuq Iżolatur) Sensing tat-Telekomunikazzjoni Elettro-Ottiku Għoli
-
Wejfers tas-Silikon Karbur ta' Purità Għolja (Mhux Doped) ta' 3 pulzieri Sottostrati Sic semi-Insulanti (HPSl)
-
4H-N 8 pulzieri SiC substrat wejfer Silicon Carbide Dummy Riċerka grad 500um ħxuna
-
Kristall wieħed b'dijametru taż-żaffir, ebusija għolja morhs 9 reżistenti għall-grif personalizzabbli
-
Sottostrat taż-Żaffir b'disinn PSS ta' 2 pulzieri 4 pulzieri 6 pulzieri ICP b'inċiżjoni niexfa jista' jintuża għal ċipep LED
-
Sottostrat ta' Żaffir b'Disinn ta' 2 pulzieri, 4 pulzieri u 6 pulzieri (PSS) li fuqu jitkabbar materjal GaN jista' jintuża għad-dawl LED
-
Riċerka tal-wejfer SiC 4H-N/6H-N Produzzjoni ta' riċerka dwar il-wejfers ta' grad finta Dia150mm Sottostrat tal-karbur tas-silikon
-
Wejfer miksi bl-Au, wejfer taż-żaffir, wejfer tas-silikon, wejfer tas-SiC, 2 pulzieri 4 pulzieri 6 pulzieri, Ħxuna miksija bid-deheb 10nm 50nm 100nm