Sottostrat
-
4H-N 8 pulzieri SiC substrat wejfer Silicon Carbide Dummy Riċerka grad 500um ħxuna
-
Riċerka tal-wejfer SiC 4H-N/6H-N Produzzjoni ta' riċerka dwar il-wejfers ta' grad finta Dia150mm Sottostrat tal-karbur tas-silikon
-
Sottostrat SIC ta' 12-il pulzier karbur tas-silikon b'dijametru ta' grad ewlieni ta' 300mm daqs kbir 4H-N Adattat għal dissipazzjoni tas-sħana ta' apparat ta' qawwa għolja
-
Dia300x1.0mmt Ħxuna tas-Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP
-
Dijametru tal-wejfer HPSI SiC: 3 pulzieri ħxuna: 350um ± 25 µm għall-Elettronika tal-Enerġija
-
Sottostrat taż-żaffir ta' 8 pulzieri 200mm, wejfer taż-żaffir b'ħxuna rqiqa 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
Wejfer tas-silikon karbur tas-SiC ta' 8 pulzieri tat-tip 4H-N ta' 0.5mm ta' grad ta' produzzjoni ta' grad ta' riċerka ta' sottostrat illustrat apposta
-
Wejfers taż-żaffir b'kristall wieħed Al2O3 99.999% Dia200mm ħxuna ta' 1.0mm 0.75mm
-
Wejfer tas-Sapphire ta' 156mm 159mm 6 pulzieri għal trasportatur C-Plane DSP TTV
-
Wejfers taż-żaffir ta' 4 pulzieri tal-assi C/A/M kristall wieħed Al2O3, sottostrat taż-żaffir ta' ebusija għolja SSP DSP
-
3 pulzieri Semi-Insulazzjoni ta' Purità Għolja (HPSI) Wejfer SiC 350um Grad Dummy Grad Prim
-
Sottostrat SiC tat-tip P SiC wejfer Dia2inch prodott ġdid