SiC
-
Produzzjoni ta' sottostrat SiC ta' 3 pulzieri Dia76.2mm 4H-N
-
Sottostrat tas-SiC grad P u D Dia50mm 4H-N 2 pulzieri
-
Ingott SiC tat-tip 4H-N grad finta 2 pulzieri 3 pulzieri 4 pulzieri 6 pulzieri ħxuna: >10mm
-
Wejfer tas-SiC ta' 200mm grad finta ta' 4H-N ta' 8 pulzieri
-
Żerriegħa tas-SiC 4H-N Dia205mm miċ-Ċina Monokristalina ta' grad P u D
-
Wejfer SiC Epitaxiy ta' 6 pulzieri tat-tip N/P jaċċetta personalizzat
-
Produzzjoni ta' sottostrat SiC ta' Dia150mm 4H-N 6 pulzieri u grad finta
-
Wejfer SiC Epi ta' 4 pulzieri għal MOS jew SBD
-
Ingott SiC ta' 2 pulzieri Dia50.8mmx10mmt monokristall 4H-N
-
Wejfers tas-SiC ta' 4 pulzieri 6H Sottostrati tas-SiC semi-iżolanti ta' grad ewlieni, ta' riċerka, u ta' grad finta
-
Wejfer tas-sottostrat HPSI SiC ta' 6 pulzieri Karbur tas-Silikon Wejfers SiC semi-insulenti
-
Wejfers SiC semi-insulenti ta' 4 pulzieri Sottostrat HPSI SiC ta' grad ta' Produzzjoni Primarja