Sottostrat Sic Karbur tas-Silikon Wafer tat-Tip 4H-N Reżistenza għall-Korrużjoni b'Ebusija Għolja Lustrar ta' Grad Prim

Sottostrat Sic, Wejfer tal-Karbur tas-Silikon, Tip 4H-N, Ebusija Għolja, Reżistenza għall-Korrużjoni, Lustrar ta' Grad Prim, Immaġni Dehru

Deskrizzjoni Qasira:

Il-wejfers tal-karbur tas-silikon huma materjal ta' prestazzjoni għolja użat fil-produzzjoni ta' apparati elettroniċi. Huwa magħmul minn saff tal-karbur tas-silikon f'koppla tal-kristall tas-silikon u huwa disponibbli fi gradi, tipi u finituri tal-wiċċ differenti. Il-wejfers għandhom ċattità ta' Lambda/10, li tiżgura l-ogħla kwalità u prestazzjoni għal apparati elettroniċi magħmula minn wejfers. Il-wejfers tal-karbur tas-silikon huma ideali għall-użu fl-elettronika tal-enerġija, it-teknoloġija LED u sensuri avvanzati. Aħna nipprovdu wejfers tal-karbur tas-silikon (sic) ta' kwalità għolja għall-industriji tal-elettronika u l-fotonika.

Ibgħatilna email

Dettalji tal-Prodott

Tikketti tal-Prodott

Dawn li ġejjin huma l-karatteristiċi tal-wejfer tal-karbur tas-silikon

1. Konduttività termali ogħla: Il-konduttività termali tal-wejfers SIC hija ħafna ogħla minn dik tas-silikon, li jfisser li l-wejfers SIC jistgħu jxerrdu s-sħana b'mod effettiv u huma adattati għal tħaddim f'ambjenti ta' temperatura għolja.
2. Mobilità ogħla tal-elettroni: Il-wejfers SIC għandhom mobilità ogħla tal-elettroni mis-silikon, li tippermetti lill-apparati SIC joperaw b'veloċitajiet ogħla.
3. Vultaġġ ogħla ta' tkissir: Il-materjal tal-wejfer SIC għandu vultaġġ ogħla ta' tkissir, li jagħmilha adattata għall-manifattura ta' apparati semikondutturi ta' vultaġġ għoli.
4. Stabbiltà kimika ogħla: Il-wejfers SIC għandhom reżistenza kimika aktar qawwija għall-korrużjoni, li tgħin biex ittejjeb l-affidabbiltà u d-durabbiltà tal-apparat.
5. Distakk tal-banda usa': Il-wejfers SIC għandhom distakk tal-banda usa' mis-silikon, u b'hekk l-apparati SIC ikunu aħjar u aktar stabbli f'temperaturi għoljin.

Il-wejfer tal-karbur tas-silikon għandu diversi applikazzjonijiet

1. Qasam mekkaniku: għodod tat-tqattigħ u materjali tat-tħin; Partijiet u bushings reżistenti għall-użu; Valvijiet u siġilli industrijali; Boxxli u blalen
2. Qasam tal-enerġija elettronika: apparati semikondutturi tal-enerġija; Element tal-microwave ta' frekwenza għolja; Elettronika tal-enerġija ta' vultaġġ għoli u temperatura għolja; Materjal għall-ġestjoni termali
3. Industrija kimika: reattur u tagħmir kimiku; Pajpijiet u tankijiet tal-ħażna reżistenti għall-korrużjoni; Appoġġ għal katalist kimiku
4. Settur tal-enerġija: komponenti tat-turbini tal-gass u tat-turbocharger; komponenti ċentrali u strutturali tal-enerġija nukleari, komponenti taċ-ċelloli tal-fjuwil f'temperatura għolja
5. Aerospazjali: sistemi ta' protezzjoni termali għal missili u vetturi spazjali; Xfafar tat-turbini tal-magna tal-ġett; Kompost avvanzat
6. Oqsma oħra: Sensuri ta' temperatura għolja u termopili; Forom u għodod għall-proċess tas-sinterizzazzjoni; Oqsma tat-tħin u l-illustrar u tat-tqattigħ
ZMKJ jista' jipprovdi wejfer SiC ta' kristall wieħed (Silicon Carbide) ta' kwalità għolja lill-industrija elettronika u optoelettronika. Il-wejfer SiC huwa materjal semikonduttur tal-ġenerazzjoni li jmiss, bi proprjetajiet elettriċi uniċi u proprjetajiet termali eċċellenti, meta mqabbel mal-wejfer tas-silikon u l-wejfer GaAs, il-wejfer SiC huwa aktar adattat għal applikazzjoni ta' apparati b'temperatura għolja u qawwa għolja. Il-wejfer SiC jista' jiġi fornut f'dijametru ta' 2-6 pulzieri, kemm SiC 4H kif ukoll 6H, tip N, iddopat bin-nitroġenu, u tip semi-iżolanti disponibbli. Jekk jogħġbok ikkuntattjana għal aktar informazzjoni dwar il-prodott.
Il-fabbrika tagħna għandha tagħmir ta' produzzjoni avvanzat u tim tekniku, li jistgħu jippersonalizzaw diversi speċifikazzjonijiet, ħxuna u forom ta' wejfer SiC skont ir-rekwiżiti speċifiċi tal-klijenti.