Sostrat Sic Wejfer tal-karbur tas-silikon 4H-N Tip Ebusija Għolja Reżistenza għall-Korrużjoni Illustrar tal-Grad Prim

Sostrat Sic Wejfer tal-karbur tas-silikon 4H-N Tip Ebusija Għolja Reżistenza għall-Korrużjoni Illustrar Prim Grad Dehru Dehru

Deskrizzjoni qasira:

Il-wejfers tal-karbur tas-silikon huma materjal ta 'prestazzjoni għolja użat fil-produzzjoni ta' apparat elettroniku. Huwa magħmul minn saff tal-karbur tas-silikon f'koppla tal-kristall tas-silikon u huwa disponibbli fi gradi, tipi u finituri tal-wiċċ differenti. Il-wejfers għandhom flatness ta 'Lambda/10, li jiżgura l-ogħla kwalità u prestazzjoni għal apparat elettroniku magħmul minn wejfers. Il-wejfers tal-karbur tas-silikon huma ideali għall-użu fl-elettronika tal-enerġija, teknoloġija LED u sensuri avvanzati. Aħna nipprovdu wejfers tal-karbur tas-silikon ta 'kwalità għolja (sic) għall-industriji tal-elettronika u l-fotonika.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Dawn li ġejjin huma l-karatteristiċi tal-wejfer tal-karbur tas-silikon

1. Konduttività termali ogħla: Il-konduttività termali tal-wejfers SIC hija ħafna ogħla minn dik tas-silikon, li jfisser li l-wejfers SIC jistgħu effettivament ixerrdu s-sħana u huma adattati għal tħaddim f'ambjenti ta 'temperatura għolja.
2. Mobbiltà ogħla tal-elettroni: Il-wejfers tas-SIC għandhom mobilità tal-elettroni ogħla mis-silikon, li jippermettu lill-apparati SIC joperaw b'veloċitajiet ogħla.
3. Vultaġġ ta 'tqassim ogħla: Il-materjal tal-wejfer SIC għandu vultaġġ ta' tqassim ogħla, li jagħmilha adattata għall-manifattura ta 'apparat semikonduttur ta' vultaġġ għoli.
4. Stabbiltà kimika ogħla: Il-wejfers SIC għandhom reżistenza għall-korrużjoni kimika aktar b'saħħitha, li tgħin biex ittejjeb l-affidabbiltà u d-durabilità tal-apparat.
5. Faxxa usa ': wejfers SIC għandhom qasma aktar wiesgħa mis-silikon, li jagħmlu l-apparati SIC aħjar u aktar stabbli f'temperaturi għoljin.

Il-wejfer tal-karbur tas-silikon għandu diversi applikazzjonijiet

1.Qasam mekkaniku: għodod tal-qtugħ u materjali tat-tħin; Partijiet u bushings reżistenti għall-ilbies; Valvoli u siġilli industrijali; Berings u blalen
2.Qasam tal-enerġija elettronika: apparat semikonduttur tal-enerġija; Element microwave ta 'frekwenza għolja; Elettronika ta' qawwa ta 'vultaġġ għoli u temperatura għolja; Materjal ta 'ġestjoni termali
3.Industrija kimika: reattur kimiku u tagħmir; Pajpijiet u tankijiet tal-ħażna reżistenti għall-korrużjoni; Appoġġ tal-katalizzatur kimiku
4.Settur tal-enerġija: komponenti ta 'turbini tal-gass u turbocharger; Il-qalba tal-enerġija nukleari u l-komponenti strutturali tal-komponenti taċ-ċelloli tal-fjuwil b'temperatura għolja
5.Ajruspazjali: sistemi ta 'protezzjoni termali għal missili u vetturi spazjali; Xfafar tat-turbini tal-magni bil-ġett; Kompost avvanzat
6.Oqsma oħra: Sensuri ta 'temperatura għolja u thermopiles; Forom u għodda għall-proċess tas-sinterizzazzjoni; Oqsma tat-tħin u l-illustrar u l-qtugħ
ZMKJ jista 'jipprovdi wejfer SiC ta' kristall wieħed ta 'kwalità għolja (Silikon Carbide) għall-industrija elettronika u optoelettronika. Wejfer SiC huwa materjal semikonduttur tal-ġenerazzjoni li jmiss, bi proprjetajiet elettriċi uniċi u proprjetajiet termali eċċellenti, meta mqabbel ma 'wejfer tas-silikon u wejfer GaAs, wejfer SiC huwa aktar adattat għal temperatura għolja u applikazzjoni ta' apparat ta 'qawwa għolja. Il-wejfer tas-SiC jista 'jiġi fornut f'dijametru ta' 2-6 pulzieri, kemm 4H kif ukoll 6H SiC, tip N, nitroġenu drogat, u tip semi-insulanti disponibbli. Jekk jogħġbok ikkuntattjana għal aktar informazzjoni dwar il-prodott.
Il-fabbrika tagħna għandha tagħmir ta 'produzzjoni avvanzat u tim tekniku, li jista' jippersonalizza diversi speċifikazzjonijiet, ħxuna u forom ta 'wejfer SiC skont ir-rekwiżiti speċifiċi tal-klijenti.