Prodotti
-
p-type 4H/6H-P 3C-N TIP SIC sottostrat 4inch 〈111〉± 0.5°Zero MPD
-
Substrat SiC P-tip 4H/6H-P 3C-N 4inch bi ħxuna ta '350um Grad ta' produzzjoni Grad finta
-
4H/6H-P 6inch wejfer SiC Żero MPD grad Produzzjoni Grad Dummy Grad
-
Wejfer SiC tat-tip P 4H/6H-P 3C-N 6inch ħxuna 350 μm b'Orjentazzjoni Ċatta Primarja
-
Alumina driegħ taċ-ċeramika custom Driegħ robotiku taċ-ċeramika
-
Sapphire tubu KY Metodu kollha trasparenti Customizable
-
Al2O3 99.999% xafra tad-dwana taż-żaffir trasparenti reżistenti għall-ilbies 38 × 4.5 × 0.3mmt
-
Trapjant tax-xagħar ta 'xafra taż-żaffir jista' jiġi personalizzat għal skopijiet mediċi
-
Lelà YAG materja prima trab vjola fl-istokk
-
Proċess TVG fuq żaffir tal-kwarz BF33 wejfer Punching tal-wejfer tal-ħġieġ
-
Wafer Uniku tas-Silikon kristall Si Sostrat Tip N/P Fakultattiv Wejfer tal-Karbur tas-Silikon
-
Substrati komposti SiC tat-Tip N Dia6inch Substrat monokristalin ta 'kwalità għolja u ta' kwalità baxxa