Wejfer epitassjali tal-laser GaAs 4 pulzieri 6 pulzieri VCSEL emissjoni tal-wiċċ tal-kavità vertikali wavelength tal-lejżer 940nm junction waħda

Wejfer epitassjali tal-lejżer GaAs 4 pulzieri 6 pulzieri VCSEL emissjoni tal-wiċċ tal-kavità vertikali wavelength tal-lejżer 940nm junction waħda Dehru Image

Deskrizzjoni qasira:

Disinn speċifikat tal-klijent Gigabit Ethernet arrays tal-lejżer għal uniformità għolja wejfers ta '6 pulzieri 850/940nm ċentru ottiku wavelength ossidu limitat jew proton-implanted VCSEL komunikazzjoni ta' data diġitali link, laser mouse karatteristiċi elettriċi u ottiċi sensittività baxxa għat-temperatura. Il-VCSEL-940 Single Junction huwa laser li jarmi l-wiċċ tal-kavità vertikali (VCSEL) b'wavelength ta 'emissjoni tipikament madwar 940 nanometru. Tali lejżers tipikament jikkonsistu f'bir kwantiku wieħed u huma kapaċi jipprovdu emissjoni effiċjenti tad-dawl. Il-wavelength ta '940 nanometru jagħmilha fl-ispettru infra-aħmar, adattat għal varjetà ta' applikazzjonijiet. Meta mqabbel ma 'tipi oħra ta' lejżers, VCsels għandhom effiċjenza ogħla ta 'konverżjoni elettro-ottika. Il-pakkett VCSEL huwa relattivament żgħir u faċli biex jintegra. L-applikazzjoni wiesgħa tal-VCSEL-940 għamlitha jkollha rwol importanti fit-teknoloġija moderna.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

Il-karatteristiċi ewlenin tal-folja epitassjali tal-laser GaAs jinkludu

1. Struttura ta 'junction waħda: Dan il-laser huwa ġeneralment magħmul minn bir kwantiku wieħed, li jista' jipprovdi emissjoni effiċjenti tad-dawl.
2. Wavelength: Il-wavelength ta '940 nm jagħmilha fil-medda ta' l-ispettru infra-aħmar, adattat għal varjetà ta 'applikazzjonijiet.
3. Effiċjenza għolja: Meta mqabbel ma 'tipi oħra ta' lejżers, VCSEL għandu effiċjenza għolja ta 'konverżjoni elettro-ottika.
4. Kompattezza: Il-pakkett VCSEL huwa relattivament żgħir u faċli biex jintegra.

5. Kurrent ta 'limitu baxx u effiċjenza għolja: Lejżers ta' eterostruttura midfuna juru densità ta 'kurrent ta' limitu ta 'lasing estremament baxx (eż. 4mA/cm²) u effiċjenza għolja ta' quantum differenzjali esterna (eż. 36%), b'qawwa tal-ħruġ lineari li taqbeż il-15mW.
6. Stabbiltà tal-mod ta 'gwida tal-mewġ: Il-lejżer ta' l-eterostruttura midfuna għandu l-vantaġġ ta 'stabbiltà tal-mod ta' gwida tal-mewġ minħabba l-mekkaniżmu tal-gwida tal-mewġ tal-indiċi ta 'rifrazzjoni tiegħu u wisa' dejqa ta 'strixxa attiva (madwar 2μm).
7. Effiċjenza ta 'konverżjoni fotoelettrika eċċellenti: Billi jiġi ottimizzat il-proċess ta' tkabbir epitassjali, jistgħu jinkisbu effiċjenza għolja ta 'kwantum intern u effiċjenza ta' konverżjoni fotoelettrika biex jitnaqqas it-telf intern.
8. Affidabilità għolja u ħajja: teknoloġija ta 'tkabbir epitassjali ta' kwalità għolja tista 'tipprepara folji epitassjali b'dehra tajba tal-wiċċ u densità baxxa ta' difett, ittejjeb l-affidabilità u l-ħajja tal-prodott.
9. Adattat għal varjetà ta 'applikazzjonijiet: Folja epitassjali tad-dijodu tal-lejżer ibbażata fuq GAAS tintuża ħafna fil-komunikazzjoni tal-fibra ottika, applikazzjonijiet industrijali, infrared u fotodetectors u oqsma oħra.

Il-modi ta 'applikazzjoni prinċipali tal-folja epitassjali tal-laser GaAs jinkludu

1. Komunikazzjoni ottika u komunikazzjoni tad-dejta: Wejfers epitassjali GaAs jintużaw ħafna fil-qasam tal-komunikazzjoni ottika, speċjalment f'sistemi ta 'komunikazzjoni ottika b'veloċità għolja, għall-manifattura ta' apparati optoelettroniċi bħal lejżers u ditekters.

2. Applikazzjonijiet industrijali: Folji epitassjali tal-lejżer GaAs għandhom ukoll użi importanti f'applikazzjonijiet industrijali, bħall-ipproċessar tal-lejżer, kejl u sensing.

3. Elettronika tal-konsumatur: Fl-elettronika tal-konsumatur, wejfers epitassjali GaAs jintużaw biex jimmanifatturaw VCsels (lejżers li jarmu l-wiċċ tal-kavità vertikali), li jintużaw ħafna fi smartphones u elettronika għall-konsumatur oħra.

4. Applikazzjonijiet Rf: Materjali GaAs għandhom vantaġġi sinifikanti fil-qasam RF u jintużaw biex jimmanifatturaw apparati RF ta 'prestazzjoni għolja.

5. Lejżers quantum dot: Lejżers quantum dot ibbażati fuq GAAS jintużaw ħafna fl-oqsma tal-komunikazzjoni, mediċi u militari, speċjalment fil-medda ta 'komunikazzjoni ottika ta' 1.31µm.

6. Swiċċ Q passiv: L-assorbitur GaAs jintuża għal lejżers ta 'stat solidu ppumpjati bid-dijodu bi swiċċ Q passiv, li huwa adattat għall-mikro-magni, il-firxa u l-mikro-kirurġija.

Dawn l-applikazzjonijiet juru l-potenzjal tal-wejfers epitassjali tal-laser GaAs f'firxa wiesgħa ta 'applikazzjonijiet ta' teknoloġija għolja.

XKH joffri wejfers epitassjali GaAs bi strutturi u ħxuna differenti mfassla għall-ħtiġijiet tal-klijenti, li jkopru firxa wiesgħa ta 'applikazzjonijiet bħal VCSEL/HCSEL, WLAN, stazzjonijiet bażi 4G/5G, eċċ. Il-prodotti ta' XKH huma manifatturati bl-użu ta 'tagħmir MOCVD avvanzat biex jiżguraw prestazzjoni għolja u affidabbiltà. F'termini ta 'loġistika, għandna firxa wiesgħa ta' kanali tas-sors internazzjonali, jistgħu jimmaniġġjaw b'mod flessibbli n-numru ta 'ordnijiet, u nipprovdu servizzi b'valur miżjud bħal traqqiq, segmentazzjoni, eċċ Proċessi ta' kunsinna effiċjenti jiżguraw kunsinna fil-ħin u jissodisfaw ir-rekwiżiti tal-klijenti għal kwalità u ħinijiet tal-kunsinna. Wara l-wasla, il-klijenti jistgħu jiksbu appoġġ tekniku komprensiv u servizz ta 'wara l-bejgħ biex jiżguraw li l-prodott jintuża bla xkiel.