Sottostrat SiC 4H-N ta' grad ta' produzzjoni ta' 8 pulzieri SiC

Sottostrat SiC 4H-N SiC ta' grad ta' produzzjoni ta' 8 pulzieri SiC Immaġni Dehru

Deskrizzjoni Qasira:

Sottostrati SiC ta' 8 pulzieri jintużaw f'apparati elettroniċi ta' qawwa għolja, bħal MOSFETs tal-enerġija (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), diodes Schottky u apparati oħra tas-semikondutturi tal-enerġija.

Ibgħatilna email

Dettalji tal-Prodott

Tikketti tal-Prodott

It-tabella li ġejja turi l-ispeċifikazzjonijiet tal-wejfers SiC ta' 8 pulzieri tagħna:

Speċifikazzjonijiet tad-DSP SiC tat-tip N ta' 8 pulzieri
Numru	Oġġett	Unità	Produzzjoni	Riċerka	Manikin
1:parametri
1.1	politip	--	4H	4H	4H
1.2	orjentazzjoni tal-wiċċ	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2: Parametru elettriku
2.1	dopant	--	Nitroġenu tat-tip n	Nitroġenu tat-tip n	Nitroġenu tat-tip n
2.2	reżistività	ohm ·ċm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3: Parametru mekkaniku
3.1	dijametru	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	ħxuna	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orjentazzjoni tal-inċiżjoni	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Fond tal-Inċiżjoni	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5 (10mm * 10mm)	≤5 (10mm * 10mm)	≤10 (10mm * 10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Pruwa	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Medd	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4: Struttura
4.1	densità tal-mikropajpijiet	kull wieħed/ċm2	≤2	≤10	≤50
4.2	kontenut ta' metall	atomi/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	kull wieħed/ċm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	kull wieħed/ċm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	kull wieħed/ċm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kwalità ta' quddiem
5.1	quddiem	--	Si	Si	Si
5.2	finitura tal-wiċċ	--	CMP tal-wiċċ Si	CMP tal-wiċċ Si	CMP tal-wiċċ Si
5.3	partiċella	kull waħda/wejfer	≤100 (daqs ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	grif	kull waħda/wejfer	≤5, Tul Totali ≤200mm	NA	NA
5.5	Tarf ċipep/indentazzjonijiet/xquq/tbajja’/kontaminazzjoni	--	Xejn	Xejn	NA
5.6	Żoni politipiċi	--	Xejn	Żona ≤10%	Żona ≤30%
5.7	immarkar ta' quddiem	--	Xejn	Xejn	Xejn
6: Kwalità tad-dahar
6.1	finitura ta' wara	--	MP tal-wiċċ C	MP tal-wiċċ C	MP tal-wiċċ C
6.2	grif	mm	NA	NA	NA
6.3	Difetti fit-tarf ta' wara ċipep/indentazzjonijiet	--	Xejn	Xejn	NA
6.4	Ħruxija tad-dahar	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Immarkar ta' wara	--	Talja	Talja	Talja
7:tarf
7.1	tarf	--	Ċamfrin	Ċamfrin	Ċamfrin
8: Pakkett
8.1	ippakkjar	--	Epi-ready bil-vakwu ippakkjar	Epi-ready bil-vakwu ippakkjar	Epi-ready bil-vakwu ippakkjar
8.2	ippakkjar	--	Multi-wejfer ippakkjar tal-kasett	Multi-wejfer ippakkjar tal-kasett	Multi-wejfer ippakkjar tal-kasett

Dijagramma dettaljata

Preċedenti: Wejfer SiC Epitaxiy ta' 6 pulzieri tat-tip N/P jaċċetta personalizzat

Li jmiss: Żerriegħa tas-SiC 4H-N Dia205mm miċ-Ċina Monokristalina ta' grad P u D

Ikteb il-messaġġ tiegħek hawn u ibgħatu lilna

Kategoriji ta' prodotti

Wejfer ta' grad ta' produzzjoni SiC ta' 8 pulzieri 4H-N SiC sost...