6inch GaN-On-Sapphire

Deskrizzjoni qasira:

150mm 6inch GaN fuq Wejfer epitassjali tan-nitrur tal-gallju fuq silikon/żaffir/SiC wejfer epitassjali

Il-wejfer tas-sottostrat taż-żaffir ta '6 pulzieri huwa materjal semikonduttur ta' kwalità għolja li jikkonsisti minn saffi ta 'nitrur tal-gallju (GaN) imkabbar fuq sottostrat taż-żaffir. Il-materjal għandu proprjetajiet ta 'trasport elettroniku eċċellenti u huwa ideali għall-manifattura ta' apparati semikondutturi ta 'qawwa għolja u ta' frekwenza għolja.

Ibgħat email lilna

Dettall tal-Prodott

Tags tal-Prodott

150mm 6inch GaN fuq Wejfer epitassjali tan-nitrur tal-gallju fuq silikon/żaffir/SiC wejfer epitassjali

Metodu ta 'manifattura: Il-proċess tal-manifattura jinvolvi saffi ta' GaN li qed jikbru fuq sottostrat taż-żaffir bl-użu ta 'tekniki avvanzati bħal depożizzjoni tal-fwar kimiku organiku-metall (MOCVD) jew epitassi tar-raġġ molekulari (MBE). Il-proċess ta 'depożizzjoni jitwettaq taħt kundizzjonijiet ikkontrollati biex tiġi żgurata kwalità għolja tal-kristall u film uniformi.

Applikazzjonijiet GaN-On-Sapphire ta '6inch: ċipep tas-sottostrat taż-żaffir ta' 6 pulzieri jintużaw ħafna f'komunikazzjonijiet microwave, sistemi tar-radar, teknoloġija mingħajr fili u optoelettronika.

Xi applikazzjonijiet komuni jinkludu

1. Rf amplifikatur tal-qawwa

2. industrija tad-dawl LED

3. Tagħmir ta 'komunikazzjoni tan-netwerk bla fili

4. Apparat elettroniku f'ambjent ta 'temperatura għolja

5. Apparati optoelettroniċi

Speċifikazzjonijiet tal-prodott

- Daqs: Id-dijametru tas-sottostrat huwa ta '6 pulzieri (madwar 150 mm).

- Kwalità tal-wiċċ: Il-wiċċ ġie illustrat fin biex jipprovdi kwalità eċċellenti tal-mera.

- Ħxuna: Il-ħxuna tas-saff GaN tista 'tiġi personalizzata skont rekwiżiti speċifiċi.

- Ippakkjar: Is-sottostrat huwa ppakkjat bir-reqqa b'materjali anti-statiċi biex jipprevjenu ħsara waqt it-trasport.

- Truf tal-pożizzjonament: Is-sottostrat għandu truf ta 'pożizzjonament speċifiċi li jiffaċilitaw l-allinjament u t-tħaddim waqt il-preparazzjoni tal-apparat.

- Parametri oħra: Parametri speċifiċi bħal rqaq, reżistenza u konċentrazzjoni tad-doping jistgħu jiġu aġġustati skont il-ħtiġijiet tal-klijent.

Bil-proprjetajiet materjali superjuri tagħhom u applikazzjonijiet diversi, wejfers ta 'sottostrat taż-żaffir ta' 6 pulzieri huma għażla affidabbli għall-iżvilupp ta 'apparati semikondutturi ta' prestazzjoni għolja f'diversi industriji.

Sottostrat	6” 1mm <111> p-tip Si	6” 1mm <111> p-tip Si
Epi ThickAvg	~ 5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
pruwa	+/-45um	+/-45um
Xquq	<5mm	<5mm
Vertikali BV	> 1000V	> 1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG konċ.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilità	~ 2000ċm²/Vs (<2%)	~ 2000ċm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)