2inch SiC ingott Dia50.8mmx10mmt 4H-N monokristall
Teknoloġija tat-Tkabbir tal-Kristall SiC
Il-karatteristiċi tas-SiC jagħmluha diffiċli biex jikbru kristalli singoli.Dan huwa prinċipalment minħabba l-fatt li m'hemm l-ebda fażi likwida bi proporzjon stojkjometriku ta 'Si: C = 1: 1 fi pressjoni atmosferika, u mhux possibbli li tikber SiC bil-metodi ta' tkabbir aktar maturi, bħall-metodu tat-tpinġija diretta u il-metodu tal-griġjol li jaqa ', li huma l-pedamenti tal-industrija tas-semikondutturi.Teoretikament, soluzzjoni bi proporzjon stojkjometriku ta 'Si : C = 1 : 1 tista' tinkiseb biss meta l-pressjoni tkun akbar minn 10E5atm u t-temperatura tkun ogħla minn 3200 ℃.Bħalissa, il-metodi mainstream jinkludu l-metodu PVT, il-metodu tal-fażi likwida, u l-metodu ta 'depożizzjoni kimika f'fażi ta' fwar b'temperatura għolja.
Il-wejfers u l-kristalli SiC li nipprovdu huma prinċipalment imkabbra bit-trasport fiżiku tal-fwar (PVT), u dan li ġej huwa introduzzjoni qasira għal PVT:
Il-metodu tat-trasport tal-fwar fiżiku (PVT) oriġina mit-teknika tas-sublimazzjoni tal-fażi tal-gass ivvintata minn Lely fl-1955, li fiha trab tas-SiC jitqiegħed f'tubu tal-grafita u jissaħħan għal temperatura għolja biex it-trab tas-SiC jiddekomponi u jissublima, u mbagħad il-grafita tubu jitkessaħ, u l-komponenti tal-fażi tal-gass dekomposti tat-trab SiC huma depożitati u kristallizzati bħala kristalli SiC fiż-żona tal-madwar tat-tubu tal-grafita.Għalkemm dan il-metodu huwa diffiċli biex jinkisbu kristalli singoli SiC ta 'daqs kbir u l-proċess ta' depożizzjoni ġewwa t-tubu tal-grafita huwa diffiċli biex jiġi kkontrollat, jipprovdi ideat għal riċerkaturi sussegwenti.
YM Tairov et al.fir-Russja introduċa l-kunċett tal-kristall taż-żerriegħa fuq din il-bażi, li solviet il-problema tal-forma tal-kristall inkontrollabbli u l-pożizzjoni tan-nukleazzjoni tal-kristalli SiC.Riċerkaturi sussegwenti komplew itejbu u eventwalment żviluppaw il-metodu tat-trasferiment tal-fwar fiżiku (PVT) li jintuża industrijalment illum.
Bħala l-aktar metodu ta 'tkabbir tal-kristalli SiC, bħalissa PVT huwa l-aktar metodu ta' tkabbir mainstream għall-kristalli SiC.Meta mqabbel ma 'metodi oħra, dan il-metodu għandu rekwiżiti baxxi għal tagħmir ta' tkabbir, proċess ta 'tkabbir sempliċi, kontrollabbiltà qawwija, żvilupp u riċerka bir-reqqa, u diġà ġie industrijalizzat.
Dijagramma Dettaljata
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-19.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-29.jpg)
![asd (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-35.jpg)
![asd (4)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-42.jpg)